[导读]:露笑科技：碳化硅作为第三代半导体高压领域的理想材料，市场应用空间广阔，发展势头迅猛。
5月26日，北京元芯碳基集成电路研究院宣布，由该院中国科学院院士北京大学教授彭练矛和张志勇教授带领的团队，经过多年研究与实践，解决了长期困扰碳基半导体材料制备的瓶颈，如材料的纯度、密度与面积问题。他们的这项研究成果已经被收录在今年5月22日的《科学》期刊“应用物理器件科技”栏目中。
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅、锗为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓、磷化铟等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓、碳化硅、硒化锌等宽带半导体原料为主。
宽禁带半导体材料又称为第三代半导体材料，是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，其中较为典型的和成熟的包括碳化硅、氮化镓等。
国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件，随着国内多家企业开始重视该领域，积极布局相关项目，我国的第三代半导体材料及器件有望实现较快发展。 ... 网页链接